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电子信息(微纳技术)学院邀请郑州大学刘俊杰教授作高端学术报告

日期:2019-05-14      来源:电子信息(微纳技术)学院      作者:姚钊     阅读:

新闻网讯 5月10日上午,郑州大学首席教授刘俊杰做客电子信息(微纳技术)学院巴丁论坛,在诚思楼211会议室作了题为《Semiconductor Industry: Current Status, Future Trend, and Technology Development Strategy (集成电路的现况,前景,以及技术发展战略思考) 》高端学术报告。报告会由副院长单福凯主持,学院党政领导、专任教师、研究生以及本科生代表参加了报告会。

党委书记苗洪丽代表学院师生向刘教授的到访表示欢迎和感谢,认为集成电路是信息技术产业的核心,希望全体师生与刘俊杰教授团队加强学习交流,不断提高专业能力和水平。

刘俊杰介绍了集成电路相关的背景知识和发展现状,提出芯片可靠性的问题将成为当前中国集成电路产业发展的瓶颈,并指出静电放电(ESD)是电子元器件可靠性的主要威胁之一,超过35%的芯片损坏都可以归因于ESD事件。随后刘俊杰介绍了在Si CMOS、Si BiCMOS、GaAs、GaN和新兴技术中,集成电路ESD保护解决方案的设计、实现和优化。其预测ESD保护解决方案将成为现代和未来的电子商业化的一个关键要素。并对中国集成电路的发展提出了自己的见解。在提问环节,刘俊杰与师生现场互动交流,并结合自身经历介绍出国留学和集成电路研究的经验。

刘俊杰,1987年获得美国佛罗里达大学电子工程专业博士学位,是IEEE Fellow,IEEE EDS副主席,IEEE EDS财政委员会的主席,郑州大学首席教授,国家专家,教育部长江讲座教授,教育部海外名师。刘俊杰长期致力于静电防护(EDS)设计与仿真、半导体器件建模和RF器件的模型与仿真等领域的研究,是国际上ESD领域的权威之一。在国际著名刊物上发表期刊论文290多篇,会议论文240多篇,出版专著和教科书13部,获得专利18项。其作为第一作者发表在电子领域最权威的期刊Proceedings of the IEEE上的20页论文“ESD in Semiconductor Devices: An Overview”和23页论文“ESD in Semiconductor Devices: Protection Techniques”被IEEE评为目前ESD领域经典的评述论文。

编辑:李鹏