作者：王彬
来源：电子信息学院（微纳技术学院）
编辑：张传亮
日期：2019-09-29 阅读：1
新闻网讯 近日，电子信息（微纳技术）学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展，该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料，成功研制出低功耗纳米线突触晶体管。
利用单个电子器件模拟神经形态功能是当前研究领域的一大热点。传统计算系统受限于冯诺依曼瓶颈的制约，在高速传输且大规模处理复杂信号时具有明显的劣势。人脑是一个具有1000亿个神经元和1000万亿个神经突触高度互联，且大规模并行的复杂网络，这种结构使得它具有比传统计算机具有更强健、更可塑、更容错的记忆和学习功能。单福凯教授课题组将离子积累/弛豫过程和经典场效应晶体管特性相结合，成功制备了基于离子-电子耦合的金属氧化物纳米线突触晶体管。该器件成功模拟了双脉冲易化、高通滤波、脉冲时间依赖突触可塑性等生物突触行为。器件具有极低的功耗，单个突触事件的能量消耗只有0.44 pJ，低于绝大部分三端突触器件。这项成果为制备纳米线突触器件提供了新的思路。
上述最新研究结果以“Electrospun ZnSnO nanofibers for neuromorphic transistors with ultralow energy consumption”为题发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上，在线发表地址https://doi.org/10.1109/LED.2019.2942342青岛大学为第一通信单位，研究生朱一新为第一作者，单福凯教授为通信作者。
