新闻网讯 11月19日，北京航空航天大学副研究员朱大鹏在博逸楼401会议室作学术报告，报告题为《新型材料自旋轨道矩研究》。物理科学学院师生参与报告会。
朱大鹏认为基于自旋轨道矩效应（SOT）的磁随机存储器（SOT-MRAM）因为具有高速、低功耗以及增强的数据读写稳定性，有望成为继自旋转移矩-磁随机存储器（STT-MRAM）之后的下一代磁随机存储器。人们最近发现利用低维材料例如拓扑绝缘体等，可以产生很强的自旋轨道矩效应。同时，低维层状材料具有超薄的厚度，为电场调控器件性能奠定了基础。报告主要介绍了朱大鹏团队最近在该方向做的一部分工作，包括使用分子束外延技术制备了高质量的拓扑绝缘体薄膜，首次在室温下实现了拓扑绝缘体/铁磁异质结构中高效率、无需外加辅助磁场的电流驱动磁矩翻转；研究了钛酸锶基氧化物二维电子气的自旋轨道矩效率，用简单氩离子刻蚀方法在钛酸锶表面获得了二维电子气并实现了高达0.9的自旋轨道矩效率；通过原位制备拓扑绝缘体/铁磁异质结构，大幅提高了自旋轨道矩效率，同时揭示出自旋记忆丢失(Spin Memory Loss)效应对理解拓扑绝缘体/铁磁异质结界面的自旋传输过程至关重要，相关研究有望推动新型超低功耗磁随机存储器的研制。
朱大鹏，北京航空航天大学微电子学院，北航“卓越百人”计划特聘副研究员。2008年本科毕业于山东大学物理与微电子学院，2014年博士毕业于山东大学物理学院获得理学博士学位，之后于新加坡国立大学电子与计算机工程系从事博士后研究工作。2019年回国加入北京航空航天大学，在微电子学院本部以及北航歌尔青岛微电子研究院开展工作。
研究领域为自旋电子学材料与器件，包括自旋电子学低维功能薄膜可控制备，自旋轨道转矩与电流驱动磁矩翻转，自旋流-电流转换，自旋输运与探测，自旋电子与自旋光电子器件等。近年来在Nature Physics, Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Letters, Chemistry of Materials, Physical Review Applied, Physical Review B, Applied Physics Letters等国际知名期刊发表论文27篇。在IEEE Intermag Conference，Magnetism and Magnetic Materials Conference等国内外知名会议上多次作学术报告，作为骨干参与了多项国家自然科学基金项目、新加坡科技研究局重点研发计划项目等。
